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文檔簡介
1、本論文采用了一種新修飾方法，成功獲得利用吡啶分子修飾TiO2多孔薄膜的產物。 通過先在400℃抽真空條件下使得TiO2多孔薄膜表面形成懸垂鍵，然后利用吡啶分子與活潑的懸垂鍵反應，獲得吡啶修飾的TiO2多孔薄膜。FTIR和XPS結果表明吡啶通過Ti-N化學鍵與Ti相連。 與未修飾前的TiO2多孔薄膜相比，吡啶修飾的TiO2多孔薄膜在可見光范圍的吸收有所增加。其原因歸結為吡啶與TiO2中Ti形成電子耦合。Mott-Schot
2、tky測試、可變電勢光譜法和零電流電勢研究表明：與未修飾的TiO2多孔薄膜相比，吡啶修飾的TiO2多孔薄膜的平帶電位向更正的方向移動。這種現象的出現是由于在TiO2多孔薄膜表面形成Ti-R(R=吡啶)。并且這種平帶電位正移現象在利用其他有機分子，如1-甲基咪唑、吡咯和噻吩修飾后的TiO2多孔薄膜中也能發現。 研究了吡啶修飾的TiO2多孔薄膜的光(電)化學穩定性。在-2.0V～2.0V區域中對吡啶修飾的TiO2多孔薄膜進行電勢掃描
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