小分子半導體納米結構的制備及其光電性能研究.pdf

1、近幾年，小分子半導體納米材料由于其不同于無機和高分子半導體材料的特殊的光電性能引起了廣泛的關注和研究。小分子種類繁多溶液化、低成本、可規?；庸さ闹苽溥^程使得其成為構筑有機電子器件的理想材料。小分子半導體納米結構的光電性能與其形貌和尺寸密切聯系著。然而，制備形貌、尺寸可控的小分子納米結構仍是個挑戰，對它們的光電性能研究也處于起步階段。因此，對小分子半導體納米結構的可控制備及其光電性能的研究具有重要意義。本文對幾種小分子半導體材料納米結構

2、的制備及其光電性能做了一些研究。
　　1.利用溶劑揮發制備了超長、尺寸均一的 NiOEP納米線?；诩{米線薄膜器件顯示了優異的光探測器性能，最大開關比和光響應度分別可達681和10.1 mA?W-1。
　　2.利用溶劑交換法制備了大尺寸、表面光滑的BPEA納米片?；诖思{米片的器件顯示了優異的光響應性能，最大的開關比分別可達105。此外，納米片還顯示了明顯的光發射各向異性。
　　3.利用溶劑交換法制備了ADPI納米線。