石墨烯-氧化鋅納米花復合材料的制備及電化學性能研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種優秀的半導體材料，具有出色的光學，催化和電化學性能。而且氧化鋅形貌極其豐富，像納米棒、納米線、納米管、納米片、納米花等等。尤其是三維的氧化鋅納米花，比較納米線、納米片等一二維材料擁有更大的比表面積。作為傳感器電極使用可以大大的增加與溶液的接觸面積，提高氧化鋅在傳感器方面的電化學性能。為了進一步改善氧化鋅在導電性以及易吸附生物分子的缺點，通過化學氣相沉積法(CVD)將石墨烯沉積在氧化鋅納米花表面，得到石墨烯/氧化鋅納

2、米花復合材料。
　　然后通過掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜（Raman）和X射線衍射(XRD)對石墨烯/氧化鋅納米花復合材料進行了形貌與結構的表征。從SEM圖譜可以看出氧化鋅納米花枝干長度為2.5μM，直徑為50nm，分布均勻且具有較大的比表面積。由XRD圖與標準PDF卡片對比可以確定材料為石墨烯/氧化鋅納米花結構。Raman光譜則可看出制備的石墨烯為少層結構。
　　最后我們通過自動噴涂的方式構建了氧化鋅納米花/ITO電

3、極，并在此電極基礎上以CVD法沉積出一層石墨烯，構建出石墨烯/氧化鋅納米花/ITO電極，然后通過電化學工作站對LD進行電化學檢測。主要采取循環伏安法(CV)、差分脈沖循環伏安法(DPV)以及帶有尿酸(UA)干擾下的DPV測試對電極進行電化學分析。其中氧化鋅納米花/ITO電極在LD濃度為2.5-40μM時，靈敏度為0.10μA·μM-1;石墨烯/氧化鋅納米花/ITO電極在LD濃度為1-60μM的線性范圍內，電極的靈敏度和檢測限分別為0.3