硅基氧化鋅納米結構材料的白光特性研究.pdf

1、硅是重要的半導體材料，在當今的科技生產中占據著重要地位，是集成電路等制造中不可或缺的材料，被廣泛應用在計算機、信息通訊、國防科技等生產生活領域，保證并改善著我們的生活質量。多孔硅的強光致發光現象，開啟了硅在光電領域的應用，引起了各國的關注，為光電材料與現代技術相結合提供了廣闊誘人的前景。氧化鋅是一種十分具有潛力的半導體材料，有優異的穩定性、高效的發光性能和光電轉換性能，在多個領域范圍內得到了廣泛應用?，F有成熟的生產工藝可精確控制氧化鋅材

2、料的尺寸與形貌，當氧化鋅材料的尺寸在納米量級時其發光性能尤為顯著，是一種優秀的納米發光材料。氧化鋅與多孔硅相結合，產生硅基氧化鋅復合材料，集成了兩種半導體材料的特點，具有優秀的光學性能、電學性能和高效的光電轉化性能。
　　本論文針對硅基氧化鋅材料的制備和性能，對其基底多孔硅柱狀陣列材料（porous silicon pillar array: PSPA）、硅基氧化鋅復合材料及其摻雜改性材料進行了結構分析、性能測試等方面進行了研究與

3、討論，主要內容和結果有以下幾個方面:
　　利用有鐵離子參與的水熱腐蝕法制備PSPA。拋光硅晶片表面被腐蝕出微米量級峰柱狀陣列結構，每個柱狀在納米量級都由硅量子點及表面不均勻氧化層包裹構成的海綿狀結構組成，及PSPA進行形貌結構、元素組成、發光特性和激發特性等的表征與分析。
　　以PSPA為襯底，用液相法制備硅基氧化鋅復合材料。PSPA特殊的表面結構可以減小兩種半導體材料晶格失配帶來的界面應力，使氧化鋅納米材料層均勻生長在PS