銅表面緩蝕劑自組裝膜的表征及電化學性能研究.pdf

1、山東大學碩士學位論文銅表面緩蝕劑自組裝膜的表征及電化學性能研究姓名：華蘭申請學位級別：碩士專業：物理化學指導教師：陳慎豪2002.3.29坐奎查蘭些蘭墮主堂垡堡奎堡窶配位鍵而發生化學吸附，這是此類分子形成SAMs的理論依據。本文以cu—N之間相互作用為建立自組裝體系，對合成、結構、功能之間的關系進行了研究，采用現代儀器表征技術STM(掃描隧道顯微鏡)，觀察了在Cu(111)表面上席夫堿自組裝膜的形貌，實驗表明自組裝膜中的席夫堿分子在銅表

2、面致密有序地排列。用FTIR(Fourier變換紅外光譜)方法，從分子水平對所得到的自組裝膜進行了表征，推斷出席夫堿自組裝膜分子是以一C=N官能團與銅表面發生化學吸附而形成的，用XPS(x射線光電子)角度分辨法進一步印證了席夫堿中的N原子在自組裝膜形成過程中直接與銅發生了作用。席夫堿自組裝膜的XPS實驗表明中銅以Cu(o)和Cu(I)狀態存在。采用XPS角度分辨對銅的vophv自組裝膜的Cu2p峰掃描，計算出銅的VophVSAMs膜厚約

3、286A采用電化學方法，對于銅表面緩蝕劑自組裝膜性質及其影響因素進行研究。本文采用極化曲線和交流阻抗技術，測定了緩蝕效率，研究了分子膜的表面覆蓋度、缺陷及形態分布。研究結果表明所選用的席夫堿V0phV、N—Oph—N和VbsoBr自組裝膜的緩蝕效率一般為85％至92％，將上述三種膜用硫醇(DDT)改進后緩蝕效率可增加到98％以上。采用7MHNO，對銅電極預處理，延長組裝時間有利于制備均勻、致密的缺陷較少的自組裝膜。增加緩蝕劑濃度有利于自