電子束光刻鄰近效應校正技術研究.pdf

1、微細加工技術是制備超大規模集成電路的關鍵技術,隨著集成電路特征尺寸的不斷減小和三維微結構制造要求的不斷提高,對分辨率的要求越來越高,這就對圖形加工技術提出了更高的要求。電子束光刻技術是目前最好的圖形制作技術之一,但電子散射引起的鄰近效應降低了微細加工圖形的精度,因此,為了獲得精確的圖形,必須進行鄰近效應校正。
　　 本學位論文對電子束光刻技術在二維抗蝕劑圖形制作和三維微結構加工中的鄰近效應校正問題進行了較全面的分析研究。論文的主

2、要工作集中于二維電子束光刻的鄰近效應校正技術研究及其算法實現,三維電子束光刻仿真技術研究,分析了三維電子束光刻仿真模型的性能,主要工作概括如下:
　　 1.二維電子束光刻的鄰近效應校正技術研究在二維電子束光刻技術中,依據電子束光刻鄰近效應的產生機理,探討有效提高校正速度的鄰近效應校正方法,對圖形內部、相鄰圖形和復雜圖形之間產生的鄰近效應分別進行討論,有針對性地采用適合的方法實現鄰近效應校正,獲得符合設計圖形要求的校正圖形,提高了

3、校正速度。
　　 2.重點研究了T型和L型復雜圖形的相互鄰近效應校正方法,設計并實現了復雜圖形的校正軟件,獲得了符合設計圖形要求的校正圖形。
　　 3.研究了提高校正速度的方法,利用對局部曝光窗口中的圖形能量沉積求累加和的方法代替目前直接卷積的方法,在校正精度不變的情況下,有效提高了校正速度。
　　 4.三維電子束光刻仿真模型的研究與優化分析研究了電子在三維抗蝕劑中的散射過程,利用Monte Carlo模擬軟件獲