非均勻Fe-Ti-O磁性半導體薄膜的結構、磁性和電輸運特性.pdf

1、非均勻磁性半導體薄膜是一種同時具備半導體性質和磁性質的薄膜材料，是最有可能實現自旋電子器件實際應用的材料之一。這類薄膜主要通過向半導體中摻雜磁性離子來制備。人們先后在磁性金屬–非磁性金屬多層膜系統、磁性金屬–絕緣體顆粒系統以及磁性隧道結中發現了室溫下的磁電阻效應(GMR)，并努力將這種非本征的電子輸運特性應用到電子學器件中。GMR效應來源于電子的自旋相關散射或自旋相關的隧道效應，即與兩個相鄰磁性單元的磁化強度的相對取向以及傳導或隧道電子

2、的自旋極化率有關。因此，近年來，非均勻磁性體系的磁性、結構及自旋相關的電子輸運特性的研究是電子材料和器件領域最為活躍的研究課題之一。
　　本論文中采用磁控濺射的方法制備了非均勻的FexTi1-xOδ磁性半導體薄膜，并對制備的FexTi1-xOδ系列薄膜的微結構、磁性質及電輸運性質進行了詳細的表征和分析。
　　研究表明所制備的薄膜是非結晶態的，且薄膜內各種元素的分布是不均勻的。所有的樣品在低溫時都具有明顯的鐵磁性特征；溫度為5