2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、二維過渡金屬硫化物二硫化鉬(MoS2)是一種低維度寬帶隙的半導體材料。單層的MoS2具有直接帶隙(1.8ev)結構，適于構筑具有低靜態功耗，高開關比特點的場效應晶體管。
　　本論文采用“自上而下”的微機械剝離法制備單層或幾層的類石墨烯二硫化鉬納米片，并對目標樣品進行了拉曼光譜表征。利用光刻微加工、熱蒸發鍍膜等工藝，構筑了基于單層或多層MoS2納米片的“金/MoS2納米片/金”結構的半導體器件。利用2602源測系統結合LabVIEW

2、編程語言實現了對MoS2薄膜器件在不同條件下的電輸運性能的測試。取得的主要進展如下:
　　1.通過微機械剝離法，成功剝離出單層MoS2樣品。運用光刻微加工技術，成功構筑基于單層MoS2的半導體光電器件。
　　2.用不同波長的激光照射MoS2納米薄膜器件，發現MoS2具有優異的光敏特性。在藍紫光照射下電流變化最大，綠光次之，紅光最小，而且導電能力都瞬間增加了4個數量級。
　　3.構筑了基于單層MoS2場效應晶體管，并研究

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