版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、石墨烯具有優異的電學和光學性能,在電子器件、航天、能源領域有廣泛的應用前景。本文以熱解石墨為靶材,采用脈沖激光沉積法(PLD)研究了石墨烯較佳的制備工藝,成功在單晶 Cu(111)基片上外延生長石墨烯薄膜。最終得到了以下研究結果:
(1)在高真空氣氛中,單一變量條件下,對比不同脈沖沉積發數的碳薄膜。發現減少沉積發數有利于石墨烯薄膜的制備,相反,增加沉積發數趨向于無序結構。當脈沖數為100發時,得到了制備石墨烯薄膜較佳的沉積發數
2、。
(2)在高真空氣氛中通過對比不同沉積溫度下制備石墨烯薄膜,發現溫度對薄膜結晶質量有很大的影響,隨著溫度的升高,碳薄膜由無序化向有序化轉變,結晶質量逐漸增加。當生長溫度為600℃時,獲得了較佳的生長溫度,持續升高溫度會導致薄膜晶格失配產生位錯,結晶質量下降。在高真空氣氛中得到石墨烯的較佳生長條件為激光能量200mJ,激光頻率1Hz,脈沖數100發,沉積溫度600℃。
(3)在氫氣氣氛中,得到制備石墨烯薄膜合適的沉積
3、溫度是400℃。得出氫氣有利于降低石墨烯薄膜的沉積溫度。獲得的較佳生長條件為激光能量200mJ,激光頻率1Hz,脈沖數100發,沉積溫度400℃。
(4)通過紫外可見反射光譜測試石墨烯的光學性質,反射率在近紫外波段區域約為35%左右,在紅外波段區域約為90%左右,并且在可見光波段急劇上升。通過 Kubelka-Munk方程可以計算石墨烯薄膜的光學帶隙,得到在高真空中制備的石墨烯薄膜的光學帶隙為2.12 eV,在氫氣氣氛下(2×
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 異質外延生長紅熒烯薄膜及性質的研究.pdf
- 碳化硅薄膜的外延生長、結構表征及石墨烯的制備.pdf
- 石墨烯及其相關結構的生長和性質研究.pdf
- 石墨烯及范德瓦爾斯異質結的分子束外延生長.pdf
- 碳化硅外延石墨烯工藝探討及石墨烯微觀摩擦學性能研究.pdf
- 基于3C-SiC外延生長石墨烯的方法與側柵石墨烯晶體管模擬的研究.pdf
- 碳化硅外延石墨烯方法生長設備研制與工藝探索.pdf
- 基于SiC外延石墨烯工藝及Raman表征.pdf
- 碳化硅外延石墨烯的工藝探究及表征.pdf
- 石墨烯摩擦性質研究.pdf
- 石墨烯及石墨炔熱輸運性質和熱電性質的計算研究.pdf
- 基于4H-SiC襯底選擇性外延生長石墨烯.pdf
- SiC熱裂解外延石墨烯的可控制備及性能研究.pdf
- 石墨烯的光電性質
- 42756.高溫外延sic法制備石墨烯的研究
- 石墨烯電子輸運性質的研究.pdf
- 石墨烯的制備及其性質研究.pdf
- 有機半導體及石墨烯在金屬表面的生長及其性質研究.pdf
- 形變對石墨烯的電子性質及輸運性質的影響.pdf
- CVD石墨烯的生長及拉曼光譜研究.pdf
評論
0/150
提交評論