窄帶系光催化劑的制備及光催化性能評價研究.pdf

1、利用AgNO3、In(NO3)3和Na2WO4作為原材料并采用共沉淀法，制備了一種窄帶系光催化劑AgIn(WO4)2。AgIn(WO4)2的結構和光活性性質通過X射線粉末衍射(XRD),透射電鏡(TEM),和紫外可見漫反射光譜(DRS)來表征分析。光催化劑的光催化活性評價通過還原Cr2O72和硝基苯。結果表明AgIn(WO4)2（煅燒溫度550℃5h）比其它制備的催化劑樣品的催化活性要高。
　　利用AgNO3和(NH4)2MoO4

2、作為原材料并采用水熱-焙燒法，制備了一種窄帶系光催化劑Ag2Mo4O13。Ag2Mo4O13的結構和光活性性質通過X射線粉末衍射(XRD),掃描電鏡(SEM),和紫外可見漫反射光譜(DRS)，氮吸附和比表面積分析(BET)，以對苯二甲酸作為探測分子利用熒光光譜檢測紫外光照后的催化劑表面產生的羥基自由基(·OH)來表征分析(TA-PL)來表征分析。光催化劑的光催化活性評價通過還原硝基苯和光氧化甲基橙(MO)。結果表明Ag2Mo4O13（煅

3、燒溫度450℃10h）比其它制備的催化劑樣品的催化活性要高。
　　CaZrTiO7的前驅體由聚合物復合法制備，接著光催化劑CaZrTiO7由熱處理經不同的溫度熱處理10h，其最好的樣品將在800℃下繼續熱處理8h,12h和14h。光催化劑CaZrTiO7光催化劑由掃描電子顯微鏡(SEM)，X射線衍射分析(XRD),紫外漫反射光譜(DRS)和熒光儀(PL)和對苯二甲酸探針技術(TA-PL)等儀器來表征。光催化劑的光催化活性評價由光還

4、原Cr2O72-，硝基苯和光氧化甲基橙來完成。熱處理條件對于光催化劑的光催化性能的影響也被做了研究。影響光催化性能的機理用密度泛函理論做了計算和討論。
　　ZnS-CuS納米粒子通過共沉淀方法制備，Ce2S3-ZnS-CuS納米粒子則通過球磨方法制得。得到的光催化劑的表征是通過掃描電子顯微鏡(SEM)，X射線粉末衍射儀(XRD),投射電子顯微鏡(TEM)和對苯二甲酸熒光分子探針技術(TA-PL)來完成。光催化活性的評價則是通過光還