硫屬半導體低維納米材料的溶劑熱合成及物性研究.pdf

1、本論文主要探索在溶劑熱的條件下制備硫屬半導體低維納米材料的方法，并對所制備的納米材料進行了微結構表征，對其生長機理也進行了研究，同時還通過調控反應條件來控制產物的形貌及物理性質。主要內容可總結如下:
　　 1.在乙二胺和水的混合溶劑中以溶劑熱法低溫合成了一維纖鋅礦ZnS納米線，納米線生長方向一致，都沿著[001]方向生長。同時，通過調節乙二胺和水的體積比，達到了ZnS的形貌和結構調控，發現在不斷增加水的體積條件下ZnS由薄片向線

2、再向顆粒轉換，物相也由六方相到六方立方共存再到立方相。同時也探討了乙二胺在ZnS納米線生長過程中的作用和產物的形成機理，提出了立方相ZnS自催化生長六方相ZnS納米線的生長機制。同時還研究了產物的光致發光性能。這一反應體系還可以推廣到其它Ⅱ-Ⅵ半導體納米材料的制備方面。
　　 2.采用簡單的水熱法制備出了ZnS摻雜Mn.的納米線。實驗中通過調節Mn摻雜量的加入，控制合成了不同形貌的ZnS納米晶。在低濃度錳摻雜下，得到了摻雜較為均

3、勻的纖鋅礦ZnS納米線;在高濃度猛摻雜下，得到的是纖鋅礦ZnS納米線和立方相ZnS納米顆粒。而且錳在立方相中的比例要遠高于其在六方相中高很多。對于這一結構的形成機理以及錳在不同物相ZnS中的存在方式做了詳細的探討。同時細致研究了產物的光致發光性能的變化與錳摻雜濃度的關系。初步探索了產物的磁性，討論了其作為稀磁半導體的可能性。
　　 3.通過注射法在油酸中快速反應制備了ZnCdS三元混晶量子點。量子點表現出極窄的發光峰以及較高的量