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文檔簡介
1、近年來,環境污染問題愈發嚴重,目前解決這一問題有效的方法之一是利用光催化降解技術來降低有機污染物對于環境的污染。半導體光催化劑因具有特殊的性能而引起了人們的關注,其中ZnO因具有化學性質穩定、無毒、易制備,且光敏性能強、禁帶能級寬(3.37 eV)、氧化能力強等特點,是應用較多的光催化材料之一。但是,ZnO的電子-空穴對復合率比較高,并且它的光響應范圍主要集中在紫外光區域。而將ZnO與某些窄帶隙的半導體材料復合可以有效改善其光催化性能。
2、CdS因具有高的光吸收率和與ZnO相似的晶格結構而作為首選復合材料之一。
本論文采用兩步法制備了ZnO/CdS核殼結構納米復合材料,首先利用水熱法在Si片上生長ZnO納米線,研究了籽晶層、前驅體濃度、聚乙烯亞胺(PEI)濃度對ZnO納米線結構及形貌的影響,并制備出長徑比為35、沿c軸生長的ZnO納米線;其次對此條件下生長的ZnO納米線進行離子交換實驗以制備ZnO/CdS核殼結構納米復合材料,并研究了離子交換時間和反應液濃度對Z
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