SiC和CdS半導體納米晶的制備及其發光性能.pdf

1、由于生物熒光標記、高分辨全色顯示、固態白光LED以及太陽能電池等行業的需要,研究高質量的納米半導體發光材料成為當前的研究熱點。
　　本文采用了水熱法和有機化學液相法分別制備了SiC和CdS納米半導體發光材料,并分別采用TEM、SEM、AFM表征了其形貌特征,用EDS、XRD表征了其化學結構及組成,用UV-vis和PL表征了其光學特性。
　　采用水熱法制備了發光波長位于紫外區域的Ⅳ族SiC納米半導體材料。實驗發現,在470℃、

2、15MPa、保溫時間為48h,可得到尺寸小于8nm、尺寸分布單一、發光性能優異的SiC納米晶。在急劇失壓和降溫的條件下,可以得到直徑40nm~200nm的SiC納米線,且納米線之間相互勾連形成空間網絡結構,這可能成了一種新型超硬材料。PL發光光譜測試表明,尺寸小于10nm的近球狀SiC納米晶發光峰窄而強,經過三個月的光學鈍化測試,發光強度幾乎不變,具有極強的光學穩定性。根據水熱結晶學和晶體成核及長大理論探討了水熱法制備SiC量子點的形成