常壓堿液條件下ZnO晶體的生長、機理及其表征.pdf

1、作為直接帶隙半導體材料,ZnO在光電方面具有優異的性能,室溫下禁帶寬度達3.37 eV,激子結合能高達60 meV,比其他幾種寬禁帶發光材料如GaN(25meV)、ZnSe(22 eV)和ZnS(40 meV)都高。因此,ZnO是一種適用于室溫和更高溫度下的紫外光發射材料,在LED和LD領域有著很大的應用潛力。因為可通過元素摻雜調節ZnO的禁帶寬度,使其在3.3 eV到4.5 eV之間變化,所以還可以制成藍光、綠光、紫光等發光器件。人們

2、對ZnO的熱衷還因為,它和GaN具有相同的纖維鋅礦結構,在[0001]方向的晶格失配率小于1.8％,有望成為高質量GaN外延材料的理想襯底。對于氧化鋅薄膜來說,同質外延其優越性更是無可比擬。1997年,科學雜志對ZnO晶體給予了高度評價。生長優質ZnO晶體無論對于基礎研究還是實際應用都具有重要意義。
　　 ZnO在1975℃同成分熔化,在高溫下揮發嚴重,不容易由熔體直接生長,所以,目前主要是在盡可能低的溫度下用高溫溶液法或水熱法

3、生長ZnO單晶。與水熱法相比,高溫溶液法設備簡單、成本低廉。高溫溶液法的關鍵是選擇合適的助熔劑,以含水堿作助熔劑的高溫溶液法簡稱常壓堿液法,在生長ZnO晶體方面具有明顯的優勢:(1)反應溫度低,在500℃以下；(2)助熔劑極易除去,用水溶解即可。但是目前由該法生長的ZnO晶體尺寸較小,且一般為針狀,故尚需要作進一步研究,既要進行實驗研究還要進行理論探索,并且要將實驗研究與理論探索結合起來,在實驗基礎上總結規律,在理論指導下進行實驗。

4、r>　　 我們考察了常壓堿液條件下影響ZnO生長的多種因素,在對其進行歸納總結的基礎上,提出了在常壓堿液條件下ZnO晶體生長的生長基元極性聯結機制和過飽和競爭產生機制,并在這兩種機制的指導下生長了多種形態的ZnO晶體,另外,還測試了多種形態ZnO晶體的光致發光譜、拉曼譜和導電性。具體內容如下:
　　 1.對常壓堿液條件下ZnO晶體生長條件的探索?？疾炝僳釄宀馁|、坩堝尺寸、熱處理方式以及體系堿性等對ZnO晶體生長的影響,并得到了

5、以下規律:(1)在常壓堿液條件下,鐵和鎳比較容易進入晶格,從而降低了晶體的結晶質量；銀不容易進入晶格,結晶質量最高,發光性最好。所以,在常壓堿液條件下,銀坩堝最適宜作ZnO的育晶器。(2)在常壓堿液條件下,ZnO有兩個生長溫區,一個在400℃以上,一個在350℃以下。在400℃2以上,ZnO的生長不是發生在降溫過程中而是發生在保溫或升溫過程；在350℃以下,ZnO可以在降溫過程中生長。(3)在常壓堿液條件下,ZnO各晶面的相對生長速率取

6、決于體系的堿性,可以通過調節體系堿性來控制ZnO的生長形態。
　　 2.多種形態ZnO晶體的生長。利用自發成核法,在強堿體系中生長出了棕色、棕綠色和無色的針狀.ZnO晶體；在弱堿體系中生長出了具有不同細節的無色片狀晶體:在中等強度的體系中生長出了棕綠色和無色的粒狀晶體；在低溫條件下生長出了無色片狀和塊狀晶體；此外,還在無水條件下生長出了ZnO晶體,打破了常壓堿液法生長ZnO必須含水的結論。
　　 3.對常壓堿液條件下Zn

7、O生長機制的探索。(1)生長基元極性聯結機制,在常壓堿液條件下,ZnO的生長基元并不是一層不變的,其存在形式與生長時的條件有關,并且不同的生長基元具有不同的結構特征,而ZnO晶體又是典型的極性晶體,所以不同生長基元在.ZnO各個晶面上聯結的難易程度不同,在不同條件下生長的ZnO結晶形態不同。(2)過飽和競爭產生機制,在常壓堿液體系中存在一對矛盾,一方面,當溫度升高時,由于ZnO溶解度增大,使體系趨于不飽和:另一方面,由于助熔劑揮發,使體

8、系趨于飽和以致過飽和。ZnO的析出與溶解是這對矛盾共同作用的結果。在400℃以上,助熔劑的揮發起主導作用,ZnO達到過飽和結晶析出,在升溫或保溫過程實現。在350℃以下,ZnO的溶解度隨溫度的改變起主導作用,ZnO在降溫過程中達到飽和結晶析出。
　　 4.多種形態ZnO晶體的形成機制探索。以ZnO的極性結構特征為出發點,結合生長時的物理、化學條件,利用ZnO晶體生長的生長基元極性聯結機制和過飽和競爭產生機制,分析了針狀、片狀、粒

9、狀和管狀ZnO晶體以及ZnO雙晶的形成機制。簡單描述了在不穩定條件下生長的不規則ZnO晶體的形態特征。
　　 5.多種形態ZnO晶體的光學和電學性能測試。(1)測試了多種形態ZnO晶體的室溫和低溫光致發光譜(PL譜)。在低溫光致發光譜上,所有晶體在369 nm(對應帶隙Eg=3.37 eV)處均有強烈而尖銳的紫外峰；在室溫光致發光譜上,所有晶體還出現了較弱的綠光輻射帶。(2)測試了多種形態ZnO晶體的室溫拉曼譜,并對拉曼峰的振動