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文檔簡介
1、高介電復合材料在微電子工程技術方面的應用前景廣闊,但常用的陶瓷顆粒/聚合物復合材料的介電性能和機械性能不佳,制約了其發展與應用,無法滿足現代微電子科技的要求。因而,為進一步提高聚合材料的介電性能和機械性能,導電填料/聚合物復合材料成為高介電聚合物材料的研究熱點和重點本文選用聚偏氟乙烯(PVDF)為聚合物基體,石墨烯為導電填料制備了高介電性能的復合膜,并對其結構和性能進行了研究,具體如下:
通過用改進Hummers法制備氧化石墨
2、烯,并利用水合肼對其進行化學還原,研究了還原溫度,還原時間對氧化石墨烯(GO)的還原效果,結果發現,還原時間對還原效果影響不大,而還原溫度對還原效果產生顯著影響,還原溫度越高其效果越好;在90℃條件下還原3h所制備的還原氧化石墨烯(RGO)的C/O原子比為15.1,基本達到理論值。
利用二甲基甲酰胺(DMF)制備了GO/PVDF復合材料,再對其進行化學還原以實現RGO在PVDF基體中均勻分散,進而制備出RGO/PVDF復合膜,
3、利用FTIR、XRD、SEM等方法對復合材料進行了結構表征,并對RGO/PVDF復合膜的介電性能進行了研究。結果表明,RGO/PVDF復合膜的介電性能和機械性能均隨著RGO含量的增加而提高。當RGO的含量為1wt%名時,復合膜的介電常數和拉伸強度分別為18和78.33MPa,與純PVDF膜的8與45.93MPa相比,分別提高了125%與700%左右。通過控制還原溫度,得到不同還原程度的RGO/PVDF復合膜,結果發現,還原程度越高的復合
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