水熱法制備取向性納米棒陣列及其性能研究.pdf

1、一維納米材料的制備有很多種方法,如熱蒸發法、化學氣相沉積法、水熱法、模板法等,而水熱法由于其設備簡單、操作容易、成本低廉、反應溫度低及有利于大規模生產等特點,越來越受到人們的青睞。本課題就基于不同的應用方面采用簡單的水熱法合成了兩種一維納米材料,包括羥基磷灰石(Ca10(PO4)6(OH)2,簡稱HA或者Hap)的納米棒陣列、氧化鋅納米棒陣列(ZnO)。
　　 對于羥基磷灰石納米陣列的研究主要是基于骨組織中的無機成分羥基磷灰石是

2、有取向性的,如果能夠制備出同樣取向性的羥基磷灰石薄膜對于提高植入體的生物活性方面有一定的幫助。對于氧化鋅納米陣列的研究則是重點研究納米棒陣列的光波導和光散射性能。論文綜合采用X射線粉末衍射(XRD),傅立葉變換紅外吸收光譜(FTIR),透射電子顯微鏡(TEM),掃描電子顯微鏡(SEM),電子能譜(EDS),電感耦合高頻等離子體發射光譜(ICP),紫外-可見光測試儀(UV)等手段研究了對所合成的物質進行表征和性能分析。本論文主要有以下幾方

3、面的工作:1.本文采用水熱法制備出氟含量遞增的羥基磷灰石并對其生長機理方面進行的研究,研究了氟含量一定時其從20min-48h的生長過程,并對其生長機理進行了總結,發現了含氟羥基磷灰石的的二次定向組裝行為。
　　 2.在對羥基磷灰石生長規律研究的基礎上,研究了水熱條件下生長薄膜的條件,摸索出在水熱反應溫度為140℃,pH為10,水熱反應時間大于24h的時候才可以得到鈣磷相的薄膜,在反應時間大于48h時可以得到羥基磷灰石,但是取向

4、是雜亂無章的。在水熱條件下采用氧化鋅籽晶層作為模板層在玻璃基體上制備了(0001)取向性較好的HA薄膜,為其應用進行前期的工藝研究和理論分析。得到的HA.晶體端面呈六邊形,屬于典型的六方柱狀晶體,晶體表面光滑、結晶完整,并且只有(0001)取向。在緩沖溶液中研究了該薄膜的溶解性能,發現溶解度很小,說明薄膜結晶性較好。
　　 3.我們對ZnO納米陣列的光波導和光散射性能進行了研究。結果表明:ZnO納米陣列對可見光具有強散射性,并且