具有本征非晶硅層的異質結太陽能電池的研究.pdf

1、Heterojunction with Intrinsic Thin-layer (HIT)結構使得在低溫工藝下制備高性能的太陽能電池成為可能，是目前太陽能電池領域的研究熱點。
　　 本文從HIT 電池的效率損失機制入手，通過制備工藝的改進減少相應的損失以提高電池性能。首先在HIT 電池的背面制備鋁背場，通過工藝優化，在燒結溫度為700 ℃
　　 時制備出有效少子壽命分布均勻，平均值大的樣品，抑制了少數載流子在硅片背表面

2、的復合；在制備鋁背場時形成的良好鋁-硅合金有很低的電阻率，作為電池的背電極可以形成良好的歐姆接觸。通過優化本征層和n型摻雜層非晶硅薄膜的制備工藝，得到具有較高光學帶隙的非晶硅薄膜，同時n型摻雜層具有較高的電導率。分別用濕法刻蝕（HF）和干法刻蝕（NH3）對異質結界面進行預處理，可以有效鈍化界面，減少因界面復合而造成的效率損失。并通過比較得出，干法刻蝕具有更好的鈍化效果。最后在單晶硅襯底表面制備出形狀規則、大小均勻的金字塔型絨面結構，使表