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文檔簡介
1、本文借助于MAO240/750微弧氧化電源、TT260渦流測厚儀和WGG60-E4光澤度計等設備,研究了微弧氧化的起弧時間、起弧電壓與電流密度、占空比之間的關系,溫度、占空比、電壓等參數對陶瓷層附著力的影響趨勢,陶瓷層生長的動力學和電流密度、試樣面積對表面陶瓷層的光澤度的影響,利用JSM6460掃描電子顯微鏡和Oxford INCA能譜儀分析了試樣表面形貌和物質成分,對比了起弧前后氧化不同時間試樣的形貌和元素含量。 研究結果表明
2、:鋁合金微弧氧化起弧的表面臨界條件是試樣的整個表面被覆蓋了一層AlxOy膜和能量臨界條件分別和電流密度0.2A/dm2;起弧前非晶態AlxOy氧化物在試樣表面呈點面方式生長;起弧后,非晶態AlxOy轉化成晶態的氧化物,微弧氧化陶瓷層呈點線網面方式生長。起弧時間隨著占空比的減小而縮短,起弧電壓隨面積大小成正比增加。溶液溫度、占空比和電壓對陶瓷層的附著力都有影響,而且附著力隨著溫度、占空比和電壓的上升而增大;滿足附著力要求的溫度、占空比和電
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