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文檔簡介
1、寬禁帶半導體納米結構材料具有寬禁帶半導體較寬的禁帶寬度,同時又具有納米材料特殊的物理和化學性質,這些使它們在光、電、磁和生化等各個領域有很大的應用前景,引起了人們對它的極大興趣和關注深入研究.本論文對寬禁帶半導體氧化鋅納米結構和氮化鎵納米結構的制備以及其場發射進行了研究,主要內容如下:1、利用不同生長方法在不同襯底上生長出了氧化鋅納米帶、納米線、納米棍等不同形貌的納米結構.2、研究了在圖形化襯底上進行了圖形化的氧化鋅納米結構的生長.3、
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