立方氮化鋁納米晶的溶劑熱合成及其性質研究.pdf

1、氮化鋁納米材料由于具有高熱導率、高熔點、低熱膨脹系數和良好的化學穩定性和壓電性能等特性,在很多方面、特別是電子工業方面有著廣泛的應用.而且由于它具有很寬的帶隙(6.2eV),且易與重要的寬帶隙半導體材料SiC和GaN形成禁帶寬度可調的合金以實現全色顯示,在此基礎上的GaN/Ga<,x>Al<,1-x>N異質結具有更優異的性能,因此越來越受到研究者和產業界的重視.而立方相AlN納米晶由于具有更高的晶格對稱性,比六方相AlN具有更低的聲子散

2、射和更高的熱導率及聲波速率等低異性能,更適宜于電子器件的設計和應用,其發展潛力更大.針對現有的制備方法所得產物多為六方相或六方和立方混合相的問題,我們首創了低溫低壓溶劑熱漢合成立方相氮化鋁納米晶的新方法,并進一步研究了立方相AlN納米晶的吸收、紅外、光致發光等光學性質,為以后的應用奠定了堅實的基礎.此外,該文還首次研究了立方相AlN納米晶的有機催化性能,并將其分別作為核材料和殼材料,制備出了AlN/GaN和GaP/AlN核殼型半導體納米

3、異質結構材料,取得了較好的實驗結果.對立方相AlN納米晶進行了光學性質的研究,在其光致發光譜的360nm和406nm處得到了兩個可能是由AlN納米晶樣品中的缺陷和雜質引起的發光峰.通過對反應過程的中間產物、主副產物及反應母液的分析,我們對溶劑熱法制備AlN納米微粒的反應機理進行了初步探討.核殼型納米半導體異質結構材料的研究也是目前材料學研究的熱點,但Ⅲ-Ⅴ族納米異質結構材料的研究目前還資料較少.通過兩步合成法,我們對GaP/AlN和 A