納米硫化亞銅及其復合材料的制備、表征與光催化性能研究.pdf

1、半導體光催化技術，由于其具有“節能”和“環?！钡碾p重意義，因此已經在污水的處理、抑菌殺菌以及環境的凈化等領域得到廣泛的研究與應用。然而，在半導體光催化劑的研究中，涉及到的多數是寬禁帶的半導體材料，如ZnO，TiO2，SnO2等等，這些半導體材料由于本身具有大的帶隙能，因此它們對太陽光能的利用率并不高，而且由于光生電子與空穴的復合特性，使單一的半導體光催化劑在開發利用方面受到了限制。因此需要對單一的半導體光催化劑進行改性處理，以達到提高半

2、導體光催化活性的目的。硫化亞銅(Cu2S)是一種窄禁帶(Eg=1.2-1.24 eV)的p型半導體材料，具有良好的化學和熱穩定性能，是一種良好的光電材料，在太陽光能利用等領域有著巨大的應用潛能。
　　本論文以納米Cu2S及其復合材料作為研究對象。采用多元醇法制備樣品并通過XRD，FESEM，EDS，XPS，FTIR和UV-Vis DRS的表征方法對樣品進行表征，并研究不同因素對樣品的結構、形貌以及光催化活性的影響。論文的研究工作分

3、為以下三個部分：
　　1.采用高溫多元醇法，以醋酸銅為銅源，一縮二乙二醇(DEG)為溶劑和還原劑，通過改變合成條件，制備出不同結構和形貌的Cu2S納米材料，并分析不同結構和形貌對樣品光催化性能的影響。實驗結果表明，當Cu/S摩爾比為1:1.5和1:1時，樣品的XRD中出現了CuS的雜質峰；然而，當增大Cu/S摩爾比時，樣品的XRD圖譜中只存在Cu2S的衍射峰。此外，樣品對甲基橙溶液都表現出一定的光催化降解能力。當Cu/S摩爾比為2

4、:1時，樣品的平均晶粒尺寸隨著體系反應溫度的增加而增大，因此樣品的光催化性能有所下降。綜合樣品的結構和形貌，當Cu/S摩爾比為2:1，在反應溫度為180℃的條件下，樣品的光催化性能最佳。
　　2.以多壁碳納米管(MWCNTs)為載體，醋酸銅為銅源，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為表面活性劑，采用多元醇法制備Cu2S/MWCNTs納米復合材料，并研究不同的銅源含量以及不同的PVP含量對樣品的結構、形貌以及光催化性能的影響。當銅源含量較小時

5、，負載在MWCNTs管壁上的Cu2S納米顆粒大小均勻、分散效果較好，因而樣品的光催化性能較好；當增加銅源的含量時，特別當銅源含量增加到0.05 mol/L時，樣品的光催化性能下降。當銅源含量為0.02 mol/L時，樣品的光催化性能隨著PVP含量的增加而增加，并且當PVP的含量增加到0.5g時，負載在MWCNTs管壁上的Cu2S納米顆粒大小均勻、分散效果最好，因此樣品的性能達到最佳；然而，當繼續增加PVP的含量時，特別當PVP的含量增加

6、到0.9 g時，由于部分的Cu2S納米顆粒未成功負載在MWCNTs的管壁上，因此導致樣品的光催化性能明顯下降。此外，在本部分內容中，我們也分析了Cu2S/MWCNTs復合材料的光催化機理。
　　3.同樣地，在表面活性劑PVP的輔助下，以醋酸銅為銅源，DEG為溶劑和還原劑，通過高溫多元醇法制備Cu2S/T-ZnOw納米復合光催化劑，并研究不同的Cu/Zn摩爾比以及不同的PVP含量對樣品的結構、形貌以及光催化性能的影響。當PVP的含量

7、為0.5 g時，Cu2S納米顆粒的負載量隨著Cu/Zn摩爾比的增加而增加；特別當Cu/Zn摩爾比增加到10％時，Cu2S納米顆粒出現比較大的團聚。當Cu/Zn≤4％時，樣品的光催化活性隨著Cu/Zn摩爾比的增加而增加；然而，當繼續增加Cu/Zn摩爾比時，樣品的光催化活性反而下降。在Cu/Zn摩爾比為2％的條件下，當PVP的含量≤0.1 g時，PVP含量越高，樣品的光催化活性也越高，并且當PVP的含量為0.3 g時，Cu2S納米顆粒的大小

8、均勻、分散效果最佳，因此樣品的光催化活性最好；然而，當PVP的含量＞0.1 g時，樣品的光催化性能下降。特別當PVP的含量增加到0.5 g時，由于部分的Cu2S納米顆粒未成功沉積在T-ZnOw表面上，導致樣品的光催化活性下降很多，這說明表面活性劑PVP的含量對于樣品形貌的控制以及光催化活性都有很大的影響。此外，在本部分內容中，我們也對Cu2S/T-ZnOw復合光催化劑的光催化機理進行了分析。
　　綜上所述，本論文采用高溫多元醇法成