CdS修飾TiO-,2-納米管陣列的制備及光催化性能研究.pdf

1、本文通過恒壓陽極氧化在純鈦箔表面制備TiO2納米管陣列，研究陽極氧化參數（陽極氧化電壓、時間）對納米管陣列微觀形貌的影響及熱處理對TiO2納米管陣列形貌和晶型的影響。
　　 運用電化學沉積對TiO2納米管陣列進行CdS顆粒修飾。研究發現，電化學沉積之后在納米管陣列的表面獲得均勻分布的納米級CdS顆粒；隨著沉積時間的延長，CdS的沉積量增加；隨著CdS沉積量的增加，TiO2納米管陣列對可見光的吸收范圍明顯增大。
　　 在紫

2、外光的作用下，利用所制備的CdS修飾TiO2納米管陣列對甲基橙溶液進行光催化降解實驗，研究陽極氧化時間、CdS沉積時間等因素對光催化性能的影響。結果表明，陽極氧化時間為1h，CdS沉積時間為2000s時制備出的TiO2納米管陣列光催化效果最佳。
　　 研究甲基橙初始濃度、pH值、H2O2加入濃度以及電極重復使用次數對光催化性能的影響，結果表明，在30 mg/L的甲基橙溶液（50ml）中，當H2O2加入濃度為50mg/L，紫外光照

3、射2h，溶液為中性時，甲基橙溶液的脫色率接近100％。當H2O2加入濃度增大到100 mg/L時，光催化的效率進一步提高，紫外光照射1h，甲基橙溶液的脫色率就已趨于100％，并未發現抑制光催化的現象。同時還研究TiO2納米管陣列電極的穩定性，實驗結果表明，隨著TiO2納米管陣列使用次數的增加，其光催化效率略有下降。
　　 對甲基橙的光催化降解機理和動力學進行研究，結果表明，甲基橙光催化氧化降解反應符合一級動力學模型，且反應速率常