鋁合金陽極氧化膜半導體性質及耐蝕性的研究.pdf

1、本課題主要是研究鋁陽極氧化膜的半導體性質，比較了不同封閉后氧化膜的半導體性質。利用PDM理論建立數學模型對鋁金屬的金屬/氧化膜、氧化膜/溶液界面進行了分析和研究，建立簡單的數學模型并對模型進行計算和比較，相位角和阻抗的試驗數據同模型較好吻合。 通過Mott-Schottky理論對鋁陽極氧化膜的半導體性質缺陷數量和平帶電位進行了計算，并用來預測鋁陽極氧化膜耐蝕性的優劣。得到的數學模型能較好的符合EIS譜的測量，封閉和未封閉的陽極氧

2、化膜均為n-型半導體，氧空穴的擴散系數為(1.12～5.53)×10<'-14>cm<'-2>·s<'-1>，不同的封閉后平帶電位有差別，依次為：未封閉>沸水封閉>重鉻酸鉀封閉>鈰鹽封閉，得到的耐蝕性：鈰鹽封閉>重鉻酸鉀>沸水>未封閉。 通過研究在NaCl溶液中，不同封閉的鋁陽極氧化膜的電化學交流阻抗譜(EIS)，評價鈰鹽，重鉻酸鉀，沸水封閉效果的優劣。M-S理論計算平帶電位，預測腐蝕的方法與用電化學交流阻抗譜測得結果一致。對所