模板法合成聚吡咯納米材料和器件及其電化學性質研究.pdf

1、後里大學博士學位論文：Y955503學校代碼：10246學峙t021022039模板法合成聚毗咯納米材料和器件及其電化學性質研究院系：專業：姓名：指導教師：指導小組成員化學系物理化學劉玲江志裕教授柳厚田教授嚴曼明副教授莊繼華副教授完成日期：2005年4月19日復旦大學博士學位論文模板法臺成聚毗咯納米材料和器件及其I乜化學性質研究摘要沉積金，再繼續電沉積聚吡咯。AuJPPy和A“非活性PPy的IV特性曲線表明均顯示了整流效應，可作為納米整

2、流器。該整流效應是由于納米P型聚毗咯與金之間形成的異質結所引起的。5、采用電沉積和化學沉積的方法，用二氧化鈦作隔膜成功地制備了聚吡咯納米線陣列超電容。第一步，在AA0納米孔的底部電沉積聚吡咯作為一個電極：第二步，繼續電沉積二氧化鈦作為隔膜：第三步，以過硫酸胺為氧化劑化學沉積聚毗咯作為另一個電極，制成納米尺寸的PPy／TiO!／PPy超電容。用鎢針尖作探頭，檢測了納米電容器的充放電性能。從充放曲線也證明納米電容器組裝成功，其電容值為35n

3、F，且具有較好的充放電性能。6、納米聚吡咯陣列電極的光電化學性質研究。在測定納米聚毗咯陣列電極在07～05V范圍內的光電化學性質時，發現納米聚吡咯陣列電極在此電位范圍內存在明顯的陰極光電流，該電流可由聚吡咯的P型半導體的性質來解釋。光電流與厚度有密切的關系。存在最佳厚度，當厚度在40nm～50nm之間，有最大光電流。當厚度增加時，光電流響應減小。這是由于在厚膜中光生電子和空穴易于復合猝滅的緣故。實驗還發現由于AAO模板對聚吡咯納米線的隔

4、離散熱作用，未測到聚吡咯的陽極光電流。聚吡咯納米線可作為納電子線路中的納米光電器件。7、用兩步法在氧化鋁模板中制備了聚吡咯葡萄糖生物傳感器納米陣列電極。第一步，在恒電位05v(vsSCE)下，p卜686的含有15mg／ml的葡萄糖氧化酶的磷酸緩沖溶液中，將葡萄糖氧化酶電吸附進入氧化鋁模板的孔中。第二步，在含有吡咯單體和葡萄糖氧化酶的溶液中共沉積形成聚吡咯葡萄糖生物傳感器納米陣列。該納米聚吡咯葡萄糖生物傳感器陣列電極對過氧化氫有好的滲透性

5、，且使氧化電位下降至02V。紅外光譜和TEM研究證實了葡萄糖氧化酶成功地固定在聚吡咯納米線上，主要嵌入在聚吡咯納米線的表面區域。兩步固定法能大大提高酶在氧化鋁模板孔中的固載量。聚吡咯葡萄糖生物傳感器納米陣列電極對葡萄糖的響應迅速(15s)。隨著葡萄糖檢測濃度的增加，電流～葡萄糖濃度標準曲線符合MichaelisMenten特征，米氏表觀常數是57mM，低于普通的葡萄糖氧化酶傳感器的。表明固定的葡萄糖氧化酶有更高的生物活性，對葡萄糖有更高