2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、新型非揮發鐵電存儲器(FeRAM)與傳統的EEPROM和FLASH非揮發存儲器相比,具有操作電壓低、功耗低、信息保持時間長、寫操作速度快、抗輻射等優異的特性,非常適合嵌入式應用的要求。而高性能集成鐵電薄膜是FeRAM器件的關鍵組成部分,因此本論文主要對用于嵌入式鐵電存儲器的集成鐵電薄膜材料進行了深入研究。
　　根據嵌入式鐵電存儲器對鐵電材料的要求,本文選擇了Zr/Ti比為30/70的PZT為嵌入式鐵電存儲器用材料。用Sol-Gel

2、法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)結構電極上制備出了PbZr0.30Ti0.70O3, PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3和 PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3等不同結構的鐵電薄膜。對Sol-Gel工藝中溶膠配制、薄膜厚度及均勻性控制和熱處理工藝等三個重要的環節進行了優化,得到了重復性高、均勻性好的薄膜制備方法。通過對不同結構鐵電薄

3、膜的微結構與電學性能的討論,指出表面PT層與底部PT層一樣可增強薄膜的結晶性能和電學性能。討論了引起PZT疲勞的不同原因,為進一步改善PZT薄膜的疲勞特性,引入PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/ PbTiO3夾層結構,通過對此種結構鐵電薄膜的微結構與電學性能的討論,指出PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3

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