在溫和條件下CdSe納米晶的制備與表征.pdf

1、本文在綜述半導納米材料的制備方法和應用現狀的基礎上，選擇溫和的實驗條件，利用胺類穩定劑來合成CdSe。在室溫條件下合成了極小的CdSe納米晶，然后在較低溫度(800C)下，在APOL或APOL/H12O(v/v=10：1)溶液中進行蝕刻。而用溶劑熱的方法獲得了CdSe納米棒，并且通過各種表征手段研究產品的形態結構和光學性質。 分別以乙二胺(EDA)和乙二胺四乙酸(EDTA)為穩定劑，室溫下，在乙醇或水中制備了極小的CdSe納米晶

2、．XRD結果表明，獲得的產品主要是閃鋅礦。通過紫外可見吸收光譜和熒光光譜研究發現，室溫下合成的CdSe有紫外吸收，沒有熒光現象產生，但在APOL，或APOL/H2O(v/v=10：1)溶液中蝕刻后，不僅恢復了CdSe帶邊熒光發射，且隨著蝕刻時間的延長，發光強度逐漸增強。這說明納米晶表面發生結構重組，改善了納米晶表面的無序與混亂的缺陷。通過熒光光譜強度的比較，發現水的存在減慢了化學蝕刻的速率。由電鏡照片可知，對于CdSe來說，EDA比ED

3、TA能更有效的穩定納米晶，減弱納米晶的團聚。 利用硫脲作表面修飾劑，以乙二胺為溶劑的先溶劑熱后水熱處理的方法制得了排列的CdSe納米棒。由于硫脲與Cd2+具有較強的配位作用，可以通過與Se2-離子的競爭反應，有效的限制CdSe納米棒的生長；熒光光譜顯示，隨著硫脲與硝酸鎘物質的量之比的增加，樣品熒光峰的位置藍移，體現了量子尺子效應。由此可見，硫脲是一種有效的表面修飾劑。 同樣利用溶劑熱．水熱技術，通過調整溶劑的成份，合成了