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文檔簡介
1、納米硫化鋅是一種過渡金屬硫化物半導體材料,其獨特的結構性能在電子、光催化、光電轉化材料等領域有廣泛的應用。由于ZnS材料自身存在一些局限和缺陷,阻礙了它的進一步應用。
本課題在微乳液體系中首次利用轉化法制備了核殼型ZnS/CdS納米復合半導體,并進行了系統研究。確定了較佳的制備工藝條件,實現了Zns/CdS納米復合半導體的簡單制備。為今后合成此類材料提供了理論參考和實踐經驗。
通過UV、PL表征了Zns/Cd
2、S納米復合材料的光學性能,探討了影響Zns/CdS納米復合半導體光學性能的實驗因素和影響規律。經過大量的實驗探索得出:ZnS單晶的最佳生長溫度為35℃,實現ZnS/CdS核殼結構的轉化反應的較佳溫度為60℃,轉化時間為120min,n(Cd/Zn)的最佳比值為1.0。
將在同等條件下制備的單體ZnS、CdS納米顆粒、ZnCdS混晶樣品和ZnS/CdS納米復合顆粒進行UV、PL比較,發現所得的ZnS/CdS納米復合顆粒吸收光
3、譜發生了很大程度的紅移,發光性能得到了較大改善與提高,初次證實了ZnS/Cds核殼結構的實現。利用原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)等方法對所制樣品進行了進一步表征,結果表明,所制備的樣品Zns/CdS納米復合顆粒確實具有核殼兩層包覆結構。顆粒平均直徑Sonln左右,粒徑尺寸分布窄。顆粒呈球形、表面光滑且無團聚現象。
實驗結果表明,在微乳液體系中采用轉化法可成功制備核殼型ZnS/CdS納米復合半導體。與傳統上
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