氧化物半導體納米結構制備及其電子場發射特性研究.pdf

1、2006屆研究生博士學位論文y89659辱學校代碼：10269學號：YB03242004葶泉吁毿天擎氧化物半導體納米結構制備及其電子場發射特性研究院系：籃盅抖堂捷盔堂瞳魚王丕專業：玉線蟲塑理研究方向：坐昱佳撾料生墨住指導教師：基自強麴援博士研究生：韭丞勝2006年3月完成圖形化生長技術的應用之一，為寬禁帶半導體氧化物圖形化生長技術的應用提供了實驗基礎。3首次對硅襯底上生長Sn02納米結構圖形化陣列進行研究，借助催化劑的輔助，成功制備了葵

2、花形等結構陣列，單元結構完整，排列一致。直徑約為50um。場發射研究表明，開啟電場和閾值電場分別達到了26V／urrt、64V／um。4首次對玻璃襯底上生長圖形化ZnO納米結構進行研究，通過使用催化劑，成功制備了單元面積約為400x100um2的圖形化陣列，單元排列規則，分布均勻一致，場發射性能良好，為實現場發射平板顯示器的全玻璃封裝提供了實驗基礎。5通過襯底結構圖形化，在納米硅襯底上制備了ZnO納米結構陣列，方形單元面積約為10010

3、01t1512，間距約為30pm。納米線光滑，平均長度lOurrl以上，直徑約為200nto。分析了其生長機理。6研究了不同形貌納米ZnO和碳納米管在濕度傳感器中的應用，分析比較了它們所表現出的不同性質。通過對碳納米管進行后處理，使傳感器在敏感性、響應時間、穩定性等方面的性質都得到了提高。對濕度傳感器的傳感機理作了分析和討論。7研究了納米ZnO和碳納米管復合結構的制備以及它們的場發射特性，結果表明，這種復合結構可以改善絲網印刷碳納米管膜