2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路工藝的發展和器件尺寸的不斷縮小，傳統浮柵存儲器在器件在50nm以下工藝水平會遇到瓶頸效應，因而不能滿足未來存儲器的發展要求。納米晶浮柵存儲器固有的分布存儲特性和納米晶上出現的庫侖阻塞效應，使其可以在更薄的隧穿氧化物條件下具有長時間保持特性。由于其具有低壓、低功耗、體積小、可快速讀寫和更高的可靠性等優良品質，被認為是最有希望取代傳統浮柵器件的新一代存儲器結構。 本文對納米晶浮柵存儲器的發展現狀，基本工作原理，電荷注入機

2、制，器件存儲特性，可靠性，新型納米晶、介質材料以及器件結構等方面做出了研究總結。 建立了納米晶浮柵存儲器的物理模型，分別使用Athena和Atlas軟件對工藝設計和器件進行了仿真，得出了適合的器件操作參數，證明了該模型的可操作性。 在所建立的物理模型基礎上，對影響器件性能的各種條件進行了研究，通過對比仿真結果來優化器件。主要研究和比較了不同的編程機制對器件閾值電壓窗口、數據保持特性和耐受性等方面的異同，得出了用CHE優于

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