場效應晶體管90476

1、概述概述場效應晶體管：英文名稱為FieldEffectTransist，縮寫為FET，簡稱場效應管。各類場效應管根據其溝道所采用的半導體材料，可分為N型溝道和P型溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。半導體的場效應，是在半導體表面的垂直方向上加一電場時，電子和空穴在表面電場作用下發生運動，半導體表面載流子的重新分布，因而半導體表面的導電能力受到電場的作用而改變，即改變為加電壓的大小和方向，可以控制半導體表面層中多數載流子的濃度和類型，或控制

2、PN結空間電荷區的寬度，這種現象稱半導體的場效應。場效應管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有如下特點：（1）輸入阻抗高；（2）輸入功耗??；（3）溫度穩定性好；（4）信號放大穩定性好，信號失真??；（5）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。根據構造和工藝的不同，場效應管分為結型和絕緣型兩大類。結型場效應管結型場效應管圖十一(a)是結

3、型場效應管的結構示意圖。圖十一(b)是N型導電溝道結型場效應管的電路符號。在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很?。苡卸喾N類型，目前應用最廣泛的一種是以二氧化硅（SiO2）為絕緣層的金屬一氧化物一半導體（MeialOxideSemiconduct）場效應管，簡稱MOS場效應管（MOSFET）。它也有N溝道和P溝道兩類，每類按結構不同又分為增強型和耗盡型。一、增強型一、增強型MOS管1結構與符號結構與符號圖Z01