場效應晶體管

1、場效應晶體管（FieldEffectTransist縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。目錄基本特點工作原理主要參數型號命名主要作用試驗測試分類簡介測量方法基本特點工作原理主要參數型號命名主要作用試驗測試分類簡介測量

2、方法判斷方法產品特性?電氣特性?參數符號?注意事項?使用優勢?應用領域?應用特點展開編輯本段基本特點場效應管大，根據漏極源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極源極間

3、的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。編輯本段主要參數直流參數飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾