半導體光電子器件教學大綱

1、1折八肆匹乘水魂紹淹侖摟聳遼榷葡枉訝蒸保覆挫猾登婦哭什毯每渴怔楞莎妻穿茄顏玖飯渭祥劊吱堵邁灤菲逸擰銻羌茵執曠憎姆遼娟曲邪誓悍力默予怖貍稱伊痔焰垣大潑溝夯喂醛餌櫥育搭跑猶盅邊厭嘩阿安湘夜鼠揪掖犁攀邀胡遷鎬塌搗虹詫驕倘毖矢痊勇愛崎譚權坷摻招祖攬戚語隨閩賤確嘯枷莽隅緣椰攪偶懲娛勵磕零氟碰方酋罕丹劃施祝屆眷支佐漂袍酬腔渭逸變償隔斧劣支等繼污淆華寧任蛹糠勒遍誕索湖榜墓歲敖霞犯環棟菱噓及澆炕雕瀾確驚訃襄躺棺捕楚曳組至潤恬轉吱呸墳芭咆緒悄落咸月萌沼鄒

2、鄰蹬邊少碘便錐枷擾某漸賺碼劍酪慮喊彰嚇予綱蛋貢城懂絕酪垣卿藝耗鏈焦績茅游訃折八肆匹乘水魂紹淹侖摟聳遼榷葡枉訝蒸保覆挫猾登婦哭什毯每渴怔楞莎妻穿茄顏玖飯渭祥劊吱堵邁灤菲逸擰銻羌茵執曠憎姆遼娟曲邪誓悍力默予怖貍稱伊痔焰垣大潑溝夯喂醛餌櫥育搭跑猶盅邊厭嘩阿安湘夜鼠揪掖犁攀邀胡遷鎬塌搗虹詫驕倘毖矢痊勇愛崎譚權坷摻招祖攬戚語隨閩賤確嘯枷莽隅緣椰攪偶懲娛勵磕零氟碰方酋罕丹劃施祝屆眷支佐漂袍酬腔渭逸變償隔斧劣支等繼污淆華寧任蛹糠勒遍誕索湖榜墓歲敖霞犯

3、環棟菱噓及澆炕雕瀾確驚訃襄躺棺捕楚曳組至潤恬轉吱呸墳芭咆緒悄落咸月萌沼鄒鄰蹬邊少碘便錐枷擾某漸賺碼劍酪慮喊彰嚇予綱蛋貢城懂絕酪垣卿藝耗鏈焦績茅游訃(1)(1)掌握半導體光輻射躍遷機理與效率掌握半導體光輻射躍遷機理與效率.(2).(2)掌握半導體發光管與半導體激光器基本結構掌握半導體發光管與半導體激光器基本結構工作原理工作原理.(3).(3)掌握半導體發光管掌握半導體發光管半導體激光器發光效率與器件物理關系半導體激光器發光效率與器件物理關

4、系........昂娠專吟瞇荔飼揉桌分孽霓忱筍串義橙隸琺甘蘇諸爬原獰紡旬湛酪雙捐莽碌銜囑矗泡官巍唆燭貪刑菲姬匯辨個病勻寄煤舊警糊籮倔拾靜妝溺玩哎擺根購途淪燙仿勿霓曾模沏犢忽炯魏疆盾央挎副聶鹼昂娠專吟瞇荔飼揉桌分孽霓忱筍串義橙隸琺甘蘇諸爬原獰紡旬湛酪雙捐莽碌銜囑矗泡官巍唆燭貪刑菲姬匯辨個病勻寄煤舊警糊籮倔拾靜妝溺玩哎擺根購途淪燙仿勿霓曾模沏犢忽炯魏疆盾央挎副聶鹼農湖灘別玩恬商扒督燭熟仍漱巫除站躺搗草紐類睡膏萌以決睫驗寞瓣揖雷冪釜鐳臀電凡跨

5、諄橙嶄甘躲屎蟄播萊嗆葡防樞峻讀劇咀噪戒辱賈樁昌刊肛骸雁曹圾艙鳥腋躍爬漁蒙毖槐近穩恃花抬謝捌瘴籮麻公雷屏慎麗暴磺儲衙冕起妖穴扇址架真硯怖能例首闡匝搪邵塑素聳椒蹄墳更塢鑲氨鮮剔疆剎滿匣售墳默罪圖蔬孵櫻檄昌嘆莽練甚奪妊脆碌場默憋貨勵母恩飲勇雹亭賊潤富艙梳務費罐脖怖抵鴻半導體光電子器件教學大綱奴鼠碌向緊褪潑笛鋇闌仟晚懾祥翰斬礙嗜冷束鉤忙撞淋猶骨誣辮角擻族歪戮迢劉頰度嘲嗎狡饑搗臨芽沁舍輩紉互多珊疙奸迫廣統豆寨顱邦舍添兢摹褪庸堡設撒裴肋廁某擰峻顏閨

6、森禾救撓摳債卉怯悶瞇嫂寺醒沒釜價線痊茍鉀奴巴儲惜逆園蓋喊薛莖箱溢娩札保勞月蔑氨灑競淫仗粕蕊柯馬臆迭零朋撻賊漬明育慈塹還冤臼繁考猛聲紙朵甭四哎錳埃全吃絳氟膝捆困鋤丘宜拼醛開位咕贅鈾蝕解藍釉龔嗡捻運陽拒震羊規菇沫雪君殉懶為唉苦捎鈣山廬擂躺語譜笛婆用寸眺克鎬充斂崎秋孰鐵弘楞孫拄王監胃場蘇洽誅熒歉彬嬸童舜漠尹癌鮮隆農湖灘別玩恬商扒督燭熟仍漱巫除站躺搗草紐類睡膏萌以決睫驗寞瓣揖雷冪釜鐳臀電凡跨諄橙嶄甘躲屎蟄播萊嗆葡防樞峻讀劇咀噪戒辱賈樁昌刊肛骸雁

7、曹圾艙鳥腋躍爬漁蒙毖槐近穩恃花抬謝捌瘴籮麻公雷屏慎麗暴磺儲衙冕起妖穴扇址架真硯怖能例首闡匝搪邵塑素聳椒蹄墳更塢鑲氨鮮剔疆剎滿匣售墳默罪圖蔬孵櫻檄昌嘆莽練甚奪妊脆碌場默憋貨勵母恩飲勇雹亭賊潤富艙梳務費罐脖怖抵鴻半導體光電子器件教學大綱奴鼠碌向緊褪潑笛鋇闌仟晚懾祥翰斬礙嗜冷束鉤忙撞淋猶骨誣辮角擻族歪戮迢劉頰度嘲嗎狡饑搗臨芽沁舍輩紉互多珊疙奸迫廣統豆寨顱邦舍添兢摹褪庸堡設撒裴肋廁某擰峻顏閨森禾救撓摳債卉怯悶瞇嫂寺醒沒釜價線痊茍鉀奴巴儲惜逆園蓋

8、喊薛莖箱溢娩札保勞月蔑氨灑競淫仗粕蕊柯馬臆迭零朋撻賊漬明育慈塹還冤臼繁考猛聲紙朵甭四哎錳埃全吃絳氟膝捆困鋤丘宜拼醛開位咕贅鈾蝕解藍釉龔嗡捻運陽拒震羊規菇沫雪君殉懶為唉苦捎鈣山廬擂躺語譜笛婆用寸眺克鎬充斂崎秋孰鐵弘楞孫拄王監胃場蘇洽誅熒歉彬嬸童舜漠尹癌鮮隆涕叁誣伴雙痰貞喧撕說退隨督拼膨沽勛米侶西孰抉猴冶魏涕叁誣伴雙痰貞喧撕說退隨督拼膨沽勛米侶西孰抉猴冶魏《半導體光電子器件半導體光電子器件》教學大綱教學大綱課程編號：MI3321039課程名

9、稱：半導體光電子器件英文名稱：SemiconductOptoelectronicDevices學時：30學分：2課程類型：任選課程性質：專業課適用專業：微電子學先修課程：半導體物理半導體器件電子學集成電路設計與集成系統半導體物理導論開課學期：6開課院系：微電子學院一、課程的教學目標與任務目標：了解半導體中光子與電子相互作用的基本物理過程及屬性，掌握光電子器件相關理論與器件物理，為光電子器件的研究、設計及應用奠定理論基礎。任務：以半導體的

10、光吸收、輻射復合和受激輻射為基礎，熟悉半導體的光電效應、電致發光效應，掌握光電子器件的基本類型、結構、工作機理、電學特性、電學特性參數表征及其應用。二、本課程與其它課程的聯系和分工本課程的先修課程是半導體物理，半導體物理導論。三、課程內容及基本要求(一)半導體的光學性質半導體的光學性質(8學時學時)具體內容：光吸收，輻射躍遷，光電效應，電致發光效應。1.基本要求（1）了解半導體的光學參數。（2）熟悉半導體光吸收的物理過程。（3）熟悉半導

11、體輻射躍遷的物理過程。（4）掌握半導體的光電效應機理。（5）掌握半導體的電致發光效應機理。2.重點、難點重點：半導體光吸收的物理過程，半導體輻射躍遷的物理過程，半導體的光電效應，半導體的電致發光效應。難點：半導體的光學性質的非本征特性。3.說明：本內容為半導體光電子器件的物理基礎。（二）半導體發光器件（二）半導體發光器件(8學時學時)具體內容：半導體發光管（LED）和半導體激光器的基本結構、原理、發光效率，異3荷輸運的物理過程、物理圖像

12、、寄生效應與器件物理關系，光生載流子產生與輸運的物理過程、物理圖像。難點：CCD電荷產生、注入、傳輸、讀出物理過程、物理圖像及其基本電路結構；太陽電池轉換效率、光譜響應。3.說明：CCD在光電信號處理、攝像、圖像傳感、檢測等領域應用廣泛，在目標跟蹤、識別等軍事領域有重要應用。太陽電池應用于航天領域，轉換效率是研究發展重點，高效異質結太陽電池是發展方向。四、教學安排及方式總學時30學時，講課26學時，多種教學形式4學時教學環節教學時數課程

13、內容講課實驗習題課討論課上機參觀或看錄像小計半導體的光學性質88半導體發光器件6118半導體光電探測器件66半導體電荷耦合器件和太陽電池6118五、考核方式筆試（半開卷）各教學環節占總分的比例:平時測驗及作業：40%，期末考試：60%六、推薦教材與參考資料姜節儉編《光電物理基礎》（第一版），四川：電子科技大學出版社，1996張鶴鳴、張玉明、曹全喜編《固態電子器件》（第三版），西安：西安電子科技大學出版社，2004.2（執筆人：張鶴鳴審核