半導體器件芯片常用型號參數

1、半導體器件常用型號參數半導體器件常用型號參數一、半導體二極管參數符號及其意義一、半導體二極管參數符號及其意義CT勢壘電容Cj結（極間）電容，表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv偏壓結電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結電容CjoCjn結電容變化Cs管殼電容或封裝電容Ct總電容CTV電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比CTC電容溫度系數Cvn標稱電容IF正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波

2、二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）正向平均電流IFM（IM）正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH恒定電流、維持電流。Ii發光二極管起輝電流IFRM正向重復峰值電流IFSM正向不重復

3、峰值電流（浪涌電流）Io整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)正向過載電流IL光電流或穩流二極管極限電流ID暗電流IB2單結晶體管中的基極調制電流IEM發射極峰值電流IEB10雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP正向脈沖電流IP峰點電流IV谷點電流IGT晶閘管控制極觸發電流IGD晶閘管控制極不觸發電流IGFM控制極正向峰值電

4、流IR（AV）反向平均電流IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電PZM最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率RF（r）正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V△I稱微分電阻RBB雙基極晶體管的

5、基極間電阻RE射頻電阻RL負載電阻Rs(rs)串聯電阻Rth熱阻R(th)ja結到環境的熱阻Rz(ru)動態電阻R(th)jc結到殼的熱阻rδ衰減電阻r(th)瞬態電阻Ta環境溫度Tc殼溫td延遲時間tf下降時間tfr正向恢復時間tg電路換向關斷時間tgt門極控制極開通時間Tj結溫Tjm最高結溫ton開通時間toff關斷時間tr上升時間trr反向恢復時間ts存儲時間tstg溫度補償二極管的貯成溫度a溫度系數λp發光峰值波長△λ光譜半寬度