AgX修飾的鉍系納米材料的制備及其光催化性能研究.pdf

1、時代的發展使得人們在追求高質量生活的同時也逐漸注重當前的環境問題。半導體光催化技術作為一種新型的環境治理技術由于其諸多的優點引起了科研工作者的關注。提高光催化性能的方法有貴金屬負載、離子摻雜、染料敏化、半導體復合等。而半導體復合，是通過半導體之間電子空穴的遷移，來提高載流子的分離效率，是目前最有效的手段。本論文主要采用該種方法，以AgX作為助催化劑，修飾Bi5O7I、Bi3O4Br，從而獲得高效的復合半導體光催化劑。
　　論文第一

2、部分在AgI/Bi5O7I復合物納米結構制備方面做了嘗試性工作。首先通過水熱法制備了Bi4O5I2納米中間體，再通過原位沉積的方法將AgI負載上，最后利用高溫焙燒的方法將Bi4O5I2轉化為Bi5O7I，得到AgI/Bi5O7I，通過X射線粉末衍射(XRD)，紫外可見漫反射(UV-vis DRS)，掃描電子顯微鏡(SEM)等技術對所制備催化劑的結構和形貌進行了表征，證實了催化劑為AgI/Bi5O7I結構且具有花瓣狀的形貌?；钚栽u價實驗表

3、明所制備樣品具有較高的光催化活性。
　　論文第二部分用簡單的水熱法制備了Bi5O7I微米棒，再通過離子交換法制備AgI/Bi5O7I半導體光催化劑。該復合催化劑表現出了優秀的可見光催化活性。為了探究其結構、光學性能等，對該催化劑進行了一系列的表征，依據表征結果提出了催化反應機理。其中，XRD和Raman表征證實半導體催化劑主要由AgI和Bi5O7I構成，而XPS表征則表明催化劑中還存在少量的金屬銀納米顆粒，即所合成的復合催化劑為A

4、g-AgI-Bi5O7I三元組分。而這三者之間的協同作用是催化劑高性能的原因所在。
　　論文第三部分介紹了AgBr/Bi3O4Br半導體光催化劑的研究工作。該光催化劑采用AgNO3和Bi3O4Br之間的離子交換法制備。在可見光照射下降解羅丹明B(RhB)溶液過程中，催化劑表現出優良的活性和穩定性，當AgBr含量為5％時催化劑的活性最高，降解速率達到了0.032min-1，是純相Bi3O4Br的2.5倍。通過對催化劑系統的結構、光學