Ⅱ-Ⅵ族半導體量子點的制備和拉曼光譜的研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族半導體量子點是現在研究最多的材料之一，本文在綜述量子點的制備方法和應用現狀的基礎上，采用膠體化學法制備出單分散的CdSe，CdTe和核殼CdSe/CdS量子點，研究了在不同的溶劑、反應時間、反應溫度對量子點的生長和光學性質的影響，取得的主要結果如下：不同溶劑對量子點的熒光強度以及尺寸分布影響較大，通過反應時間的調節，可以實現量子點發射波長調控。通過成核溫度以及生長溫度的平衡可以調節量子點的尺寸，以及尺寸分布。從中得到比較優化的生

2、長條件。通過熒光發射光譜(PL)、高分辨透射電子顯微鏡(HR-TEM)，X射線衍射儀(XRD)手段跟蹤反應過程并對樣品形貌，分散性，晶型進行了表征。研究了核層以及殼層厚度可控生長的分散度很好的CdSe/CdS核殼量子點的制備。發現隨著CdS的生長，由于CdS對CdSe核層的鈍化作用，極大提高了量子點的量子效率，以及尺寸效應等導致的熒光峰紅移。 本文另一部分研究了CdSe/CdS核殼量子點隨著殼層厚度的增加(0-5.5ML)的拉曼

3、散射信息的變化，以及合金CdS<,0.5>Se<,0.5>的拉曼分析，采用聲子限域模型和介電連續模型分別分析了CdSe以及CdS的縱模和表面模隨著殼層厚度的變化情況，并與理論值做了比較。研究了不同殼層厚度(0-5.5ML)的CdSe/CdS核殼量子點的一次和高次拉曼散射，具體分析了CdSe和CdS的表面模隨著殼層厚度的變化情況。結果表明，隨著殼層厚度的增加，CdSe表面模(SO1)從198cm<'-1>頻移到185cm<'-1>，CdS